Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5 — це польовий транзистор з каналом типу N, виконаний за технологією SuperMESH5™. Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, максимально допустимий струм стоку — 7,6 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 7,6 А
- Потужність розсіювання: 190 Вт
- Опір у відкритому стані: 450 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж вставний
- Технологія: SuperMESH5™
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік (VDS) становить 800 В, що визначає верхню межу робочої напруги пристрою. Максимально допустимий струм стоку (ID) дорівнює 7,6 А. Максимальна потужність розсіювання (PD) обмежена значенням 190 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) складає 450 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі TO220-3. Тип монтажу — вставний (THT), що передбачає встановлення компонентів у отвори друкованої плати. Версія пристрою позначена як ESD. Канал транзистора є збагаченим (enhancement mode), а полярність — уніполярною.
