Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD30NF06LT4 — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 25 А при потужності розсіювання 70 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 25 А
• Потужність розсіювання: 70 Вт
• Опір у відкритому стані: 28 мОм
• Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 25 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 28 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 70 Вт, а напруга затвор-витік обмежена 20 В.

Компонент виготовлений у поверхневому корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.

У наборі постачається 20 шт. транзисторів. Компонент має версію ESD, що вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.