Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R — це польовий транзистор на технології SiC з максимальним струмом стоку 24 А та напругою 1,2 кВ. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO263-7 для поверхневого монтажу.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга: 1,2 кВ
• Максимальний струм стоку: 24 А
• Опір у відкритому стані: 65 мОм
• Потужність розсіювання: 150 Вт
• Корпус: TO263-7, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою затвор-витік 18 В та витік-стоку 1,2 кВ. Максимально допустимий струм стоку становить 24 А, а імпульсний струм може досягати 85 А.

Технологія виготовлення: SiC (карбід кремнію). Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 65 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 150 Вт.

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі TO263-7. У комплекті постачається 2 транзистори. Наявність виведення Кельвіна та заряду затвора 60 нКл.