Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y — це силовий N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC), призначений для високовольтних застосувань. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247PLUS-4 з виведенням Кельвіна.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
• Струм дрена 60 А (імпульсний 190 А)
• Опір у стані провідності 50 мОм
• Корпус TO247PLUS-4 з виведенням Кельвіна
• Комплект: 2 шт.

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 60 А. Ці характеристики роблять компонент придатним для потужних електронних схем. Імпульсний струм дрена може досягати 190 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові струми.

Використання технології SiC (карбід кремнію) забезпечує низький опір у стані провідності — всього 50 мОм. Це зменшує теплові втрати на провідність. Потужність розсіювання становить 375 Вт, що вимагає ефективного охолодження.

Компонент має монтаж THT (через отвори), що дозволяє монтаж через отвори. Напруга керування затвором знаходиться в діапазоні від -4 до 18 В, що відповідає стандартним рівням керування затвором. Наявність виведення Кельвіна дозволяє розділити силові та сигнальні кола, для розділення силових та сигнальних кіл.