Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60 у корпусі SOT223. Транзистор N-MOSFET з напругою дрена-джерела 600 В.

• Напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 0,4 А
• Потужність розсіювання 3,3 Вт
• Корпус SOT223, монтаж SMD
• Захист ESD та технологія SuperMesh™
• Набір із 20 транзисторів

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 600 В та струм дрена 0,4 А. Підходить для застосувань, що вимагають роботи з високою напругою.

Версія ESD забезпечує додатковий захист від електростатичного розряду, що знижує ризик пошкодження компонентів під час монтажу та експлуатації. Використовується технологія SuperMesh™.

Корпус SOT223 та тип монтажу SMD забезпечують компактне розміщення на друкованих платах. Потужність розсіювання становить 3,3 Вт.

У комплекті 20 транзисторів. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а опір у стані провідності — 8,5 Ом. Монтаж виконується методом SMD.