Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW65N80K5 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO247. Максимальна напруга стік-витік становить 800 В, а струм стоку — 30 А. У комплекті поставляється 2 штуки.
- Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 30 А
- Максимальна потужність розсіювання: 446 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 70 мОм
- Корпус: TO247, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 30 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 70 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму.
Потужність та імпульсні характеристики
Максимальна потужність розсіювання транзистора — 446 Вт. Згідно з даними магазину, імпульсний струм стоку (Idm) може досягати 184 А. Загальний заряд затвора становить 92 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO247 з вставним типом монтажу. Це уніполярний прилад з каналом збагачення. У наборі міститься 2 транзистори.