Транзистор IGBT STGW30V60DF від STMicroelectronics у корпусі TO247-3. Це напівпровідниковий прилад із максимальною напругою колектор-емітер 600 В та струмом колектора 30 А. У комплекті 10 одиниць.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
• Максимальний струм колектора: 30 А
• Максимальна потужність розсіювання: 258 Вт
• Корпус: TO247-3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 600 В та максимальний струм колектора 30 А. Максимальна потужність розсіювання становить 258 Вт. Згідно з даними магазину, напруга між затвором та емітером може сягати ±20 В, а заряд затвора — 163 нКл.

Прилад виконаний у корпусі TO247-3 із вставним типом монтажу. Внутрішня структура включає інтегрований антипаралельний діод. Тип транзистора: IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором).

У наборі 10 транзисторів.