Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60M2 — це польовий транзистор з каналом типу wzbogacany (збагачений) та технологією MDmesh™ II Plus. Призначений для роботи з напругою стік-витік до 650 В та струмом стоку до 8 А.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 8 А
• Потужність розсіювання: 110 Вт
• Опір у відкритому стані: 255 мОм
• Корпус: TO247, монтаж вставний
• Технологія: MDmesh™ II Plus
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Максимальна потужність розсіювання становить 110 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Максимально допустима напруга стік-витік (Vds) дорівнює 650 В, а напруга затвор-витік (Vgs) — 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 255 мОм, що впливає на втрати при пропусканні струму.

Компонент виконаний у корпусі TO247, що забезпечує ефективне відведення тепла. Тип монтажу — вставний (THT), що вимагає відповідних отворів на друкованій платі. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичних розрядів.

У наборі постачається 10 шт. транзисторів STW18N60M2. Компонент має версію ESD, що вказує на наявність захисту від електростатичних розрядів.