•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1, 650В, 75А, TO247-4 (2 шт.)
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 405 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 300 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-4.## Комплектація
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 75 А (300 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 405 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
- Інтегрований діод SiC SBD
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 650 В та постійним струмом колектора 75 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 300 А. Максимальна розсіювана потужність становить 405 Вт.
Технологія та швидкодіяПрилад виготовлений за технологіями Field Stop, Trench та має інтегрований діод SiC SBD. Час замикання (включення) дорівнює 84 нс, а час розмикання (вимикання) — 565 нс.
Монтаж та корпусУ пакуванні знаходиться 2 транзистори.
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1, 650В, 75А, TO247-4 (2 шт.)
В наявності
2 510 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Уточнюйте у продавцяІнші товари продавця
37 254 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат