IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1 у корпусі TO247-3 із вбудованим діодом Шотткі на карбіді кремнію (SiC SBD). Комплект складається з 2 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).

• Струм колектора 50 А, імпульсний до 200 А
• Напруга колектор-емітер 650 В
• Розсіювана потужність 357 Вт
• Вбудований діод SiC SBD
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект із 2 транзисторів

Транзистор розрахований на постійний струм колектора 50 А та імпульсний струм до 200 А. Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт.

Максимальна напруга колектор-емітер дорівнює 650 В, а напруга затвор-емітер — ±20 В. Використання технології Field Stop та Trench. Вбудований антипаралельний діод на SiC SBD.

Час увімкнення транзистора становить 54 нс, а час вимкнення — 256 нс. Заряд затвора дорівнює 308 нКл.

У комплекті постачається 2 транзистори в корпусі TO247-3 з виводами для вивідного монтажу (THT).