Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1 — напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3 з інтегрованим антипаралельним діодом. Комплект складається з 2 одиниць, для монтажу у розрив (through-hole).

• Тип монтажу: вставний (through-hole)
• Корпус: TO247-3
• Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
• Максимальний струм колектора: 50 А
• Максимальна потужність розсіювання: 357 Вт
• Технологія: Field Stop, Trench, SiC SBD
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а максимальний струм колектора — 50 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 357 Вт. Напруга затвор-емітер обмежена значенням ±20 В.

Прилад виготовлений за технологією Field Stop, Trench та використовує SiC SBD. Корпус TO247-3. Інтегрований антипаралельний діод.

У наборі постачається 2 транзистори. Кількість у комплекті: 2 шт.