Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
TC6320K6-G Mosfet Array N and P-Channel 200V
Характеристики та опис
Основні
Виробник
Microchip
Додаткові характеристики
Стан
Новий
Користувальницькі характеристики
Id — безперервний струм витоку
1 A
Rds Вмик — опір стік-висток
7 Ohms, 8 Ohms
Vds — напруга пробою стік-висток
200 V
Vgs — напруга затвор-висток
10 V
Vgs th — порожева напруга затвора-висток
- 1 V
Артикул
00-00060319
Вид монтажа
SMD/SMT
Час наростання
15 ns, 15 ns
Час спаду
15 ns, 15 ns
Канальний режим
Enhancement
Категорія продукту
МОП-транзистор
Кількість каналів
2 Channel
Конфігурація
Dual
Крутість характеристики прямого передавання — Мін.
400 mS, 400 mS
Полярність транзизора
N-Channel, P-Channel
Робоча температура
- 55 ... + 150 C
Технологія
Si
Тип корпусу
DFN-8
Тип транзизора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типовий час затримки вимкнення
20 ns, 20 ns
Типовий час затримки під час увімкнення
10 ns, 10 ns
Чутливий до вологості
Да
TC6320K6-G Транзистор польовий MOSFET
Mosfet Array N and P-Channel 200V
TC6320K6-G Mosfet Array N and P-Channel 200V
В наявності
Код:
00-00060319
218
₴
Купити
Купити зараз
Безпечна оплата
Продавець Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
4.8
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Безпечна оплата
Як післяплата, тільки без переплат
Повернем гроші, якщо щось піде не так
Bigl гарантує безпеку
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Укрпошта
Дивитись все
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Укрпошта
—
від 39 грн
Дивитись все
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупця
Детальніше
Інші товари продавця
TOP243GN-TL IC: PMIC, AC/DC switcher, контролер SMPS, 61,5...140кГц, SMD-8B
270
₴
BFR183E6327HTSA1 Біполярний - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 450 мВт, 65 мА, 100 hFE
30
₴
BD135-16 Біполярний транзистор, NPN, 45 В, 1.25 Вт, 1.5 А, 40 hFE
25
₴
TIP31C Біполярний транзистор - TO-220-3: Тип: NPN: UКЕ (макс): 100 В: IК (макс): 3 А: Pрасс: 40 Вт
42.5
₴
SQ1470AEH-T1_GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, польовий, 30В, 1,7А, Idm: 6,7А
51.3
₴
Дивіться також
N channel mosfet
Dual mosfet n channel
Dual n and p channel mosfet
Транзистори
Mosfet
Irf3205
Кт 630
To 220ab
Channel 5
Irfz44
Транзистор 40n60
Mom 50
Регулятор потужності на симісторі для індуктивного навантаження
N channel mosfet
Dual mosfet n channel
Dual n and p channel mosfet
Транзистори
Mosfet
Irf3205
Кт 630
To 220ab
Channel 5
Irfz44
Транзистор 40n60
Mom 50
Регулятор потужності на симісторі для індуктивного навантаження
Новинки в категорії транзистори
Транзистор RU6888R, 68V, 88A, TO-220
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFJ20N85X, 850 В, 9,5 А, ISO247 — ...
Транзистор YANGJIE TECHNOLOGY MMBT4403, PNP, SOT23, 400 шт
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7153DN-T1-GE3, 30 шт., TrenchFE...
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF, 600 В, 10 А,...
Транзистор IGBT ONSEMI ISL9V5036P3-F085, 360 В, 31 А, 250 Вт...
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120N4F6, 40V, 80A,...
Транзистор N-MOSFET WAYON WMS690N15HG2, 150 В, 3,1 А, SOP8 (...
20 шт. RFP30N06LE 30A 60V MOSFET транзистор N-канальний сило...
Транзистор TPCA8065-H (Original) (Відновлений)
Транзистор RU6888R, 68V, 88A, TO-220
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFJ20N85X, 850 В, 9,5 А, ISO247 — ...
Транзистор YANGJIE TECHNOLOGY MMBT4403, PNP, SOT23, 400 шт
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7153DN-T1-GE3, 30 шт., TrenchFE...
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF, 600 В, 10 А,...
Транзистор IGBT ONSEMI ISL9V5036P3-F085, 360 В, 31 А, 250 Вт...
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120N4F6, 40V, 80A,...
Транзистор N-MOSFET WAYON WMS690N15HG2, 150 В, 3,1 А, SOP8 (...
20 шт. RFP30N06LE 30A 60V MOSFET транзистор N-канальний сило...
Транзистор TPCA8065-H (Original) (Відновлений)
Чат