Пошук
Натисніть знайти для пошуку
Bigl.ua
•
Всі категорії
•
Електрообладнання
•
Електронні компоненти
•
Активні компоненти
•
Транзистори
•
2SK1213
Характеристики та опис
Основні
Виробник
Renesas
Додаткові характеристики
Стан
Новий
Користувальницькі характеристики
Артикул
00-00030973
Час наростання (tr)
25 ns
Максимальна розсіювана потужність (Pd)
125 W
Максимальна температура каналу (Tj)
150 °C
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id)
6 A
Найменування приладу
2SK1213
Полярність
N
Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs)
20 V
Гранично допустима напруга стік-висток (Uds)
600 V
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds)
1.25 Ohm
Тип корпусу
TO3PN
Тип транзизора
MOSFET
2SK1213 Транзистор польовий MOSFET
2SK1213
В наявності
Код:
00-00030973
338
₴
Купити
Купити зараз
Безпечна оплата
Продавець LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
4.8
Відгуки про продавця
Графік роботи
Товари продавця
Захист покупки до 5 000 грн
Способи оплати
Безпечна оплата
Як післяплата, тільки без переплат
Повернем гроші, якщо щось піде не так
Bigl гарантує безпеку
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Укрпошта
Пром-оплата
Дивитись все
Способи доставки
Нова Пошта
—
від 70 грн
Укрпошта
—
від 39 грн
Дивитись все
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупця
Детальніше
Інші товари продавця
MBI5039GP-B Світлодіодний драйвер MBI 5039 - 16 каналів
324
₴
DE0703-33 Дросель: дротяний, SMD, 33мкГн, 910мА, 240мОм, ±20%, -40-85°C
57.5
₴
CD54NP-220MC Індуктивність: SMD, 22 мкГн, 1.11 А
58.8
₴
LQH43MN471K03L Струм: 80 мА. Індуктивність: 470 мкГн. Допуск: ± 10%
62.5
₴
Дроссель SMD1265 4.7 мкГн Розмір макс.: 12,8 х13, 2х6, 5 мм. 4,7 мкГн
70
₴
Дивіться також
Транзистори
Channel
Польові транзистори
Mosfet
Транзистор igbt
Irf3205
Ту 160
Channel 12
Irfz44n
Channel 5
Irf 840
Aon6512
Оголошень
Транзистори
Channel
Польові транзистори
Mosfet
Транзистор igbt
Irf3205
Ту 160
Channel 12
Irfz44n
Channel 5
Irf 840
Aon6512
Оголошень
Новинки в категорії транзистори
Транзистор IRLZ34NPBF
Транзистор LBSS138LT1G (уп. 20 шт.)
Транзистор біполярний PNP DIOTEC BC557BBK, 45 В, 0,1 А, 500 ...
Транзистор NTE Electronics NTE327 NPN 150V 25A 200W TO3
FDA032N08 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 70В, 120А, Idm: 94...
Модуль IGBT Infineon FF300R12KS4, 1200 В, 600 А
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated VN10LP, 60В, 0,27А, ...
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFL38N100P, 1000 В, 29 А, 520 Вт (...
NCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, T...
Транзистор IRFB4410PBF
Транзистор IRLZ34NPBF
Транзистор LBSS138LT1G (уп. 20 шт.)
Транзистор біполярний PNP DIOTEC BC557BBK, 45 В, 0,1 А, 500 ...
Транзистор NTE Electronics NTE327 NPN 150V 25A 200W TO3
FDA032N08 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 70В, 120А, Idm: 94...
Модуль IGBT Infineon FF300R12KS4, 1200 В, 600 А
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated VN10LP, 60В, 0,27А, ...
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFL38N100P, 1000 В, 29 А, 520 Вт (...
NCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, T...
Транзистор IRFB4410PBF
Чат