•
•
•
•
•
•
IRF7478PBF MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 60 В, Іс (25 ° C): 7 А, Rсі (вкл): 20 ... 26 мОм, -55 ... 150 ° C
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | IR |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Артикул | 00-00031866 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Заряд затвора | 21 nC |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 150 C |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 C |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | - 20 V, + 20 V |
| Напруга пробою _x000D_ стік-висток | 60 V |
| Безперервний струм _x000D_ утечки | 7.6 A |
| Полярність _x000D_ транзизора | N-Channel |
| Розсіювання потужності | 2.5 W |
| Опір _x000D_ стік-висток | 30 mOhms |
IRF7478PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 60 В, Іс (25 ° C): 7 А, Rсі (вкл): 20 ... 26 мОм, -55 ... 150 ° C
IRF7478PBF MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 60 В, Іс (25 ° C): 7 А, Rсі (вкл): 20 ... 26 мОм, -55 ... 150 ° C
В наявності
108 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат