Користувальницькі характеристики
| Вага паковання | 0,003 кг |
| Висота паковання | 0,4 см |
| Ширина паковання | 4 см |
| глибина паковання | 3,5 см |
Уніполярний транзистор N-MOSFET THT, 60 В, 0,2 А. Ціна за 10 штук.
Технічні характеристики транзисторів- N-MOSFET уніполярний транзистор
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 200 мА
- Напруга затвор-витік: +/- 20 В
- Опір у увімкненому стані: 5 Ом
- Корпус: TO92 (DIP)
| Елементи продаються упаковками по 10 штук. |
N-MOSFET-транзистор 2N7000.
Польовий транзистор N-типу 2N7000 з покращеним каналом є одним з найпопулярніших дискретних напівпровідникових приладів, що використовується як ентузіастами електроніки, так і професійними конструкторами. Цей компонент може контролювати струми комутації до 500 мА. Найближчим комплементарним еквівалентом 2N7000 є BS250P, P-MOSFET.
Де можна використовувати N-MOSFET-транзистор 2N7000?2N7000 – це транзистор, характеристики насичення якого дуже схожі на транзистори Дарлінгтона. Найпростіше застосування 2N7000 – це комутація живлення в малопотужних схемах, включаючи мініатюрні лампочки, двигуни та електромагнітні реле. Завдяки високому вхідному опору затвор транзистора 2N7000 практично не споживає струм. Щоб збільшити загальну струмову здатність, N-MOSFET-транзистори 2N7000 можна підключати паралельно до їхніх відповідних виводів.
N-MOSFET транзистор 2N7000 - 10 шт.
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку