GAN041-650WSB — сучасний силовий N-канальний GaN-транзистор (Gallium Nitride Cascode), призначений для високоефективних імпульсних і силових перетворювачів. Завдяки надзвичайно малому заряду затвора та низьким втратам на перемикання, цей транзистор ідеально підходить для високочастотних застосувань, де потрібні максимальна енергоефективність і компактність рішень.

Тип: GaN MOSFET (Cascode), N-канальний
Максимальна напруга стік-витік: 650 В
Постійний струм стоку (25°C): 47.2 А
Опір каналу (Rds(on)): 41 мΩ @ 32A, 10V
Заряд затвора (Qg): 22 нКл @ 10 В
Вхідна ємність (Ciss): 1500 пФ @ 400 В
Максимальна потужність розсіювання: 187 Вт
Напруга керування затвором: до ±20 В
Робоча температура переходу: –55…+175 °C
Корпус: TO-247-3, монтаж THT