Основні
| Виробник | STM |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Транзистор IRF640N — це силовий польовий MOSFET з N-каналом, призначений для роботи у високовольтних і високоточних схемах. Він розрахований на максимальну напругу до 200 В и ток до 18 А, що робить його ідеальним для застосування в джерелах живлення, інверторах, драйверах електродвигунів і промисловій електроніці.
Завдяки низькому опору відкритого каналу (Rds(on) ≈ 0,18 Ом) транзистор забезпечує мінімальні втрати потужності та високий ККД роботи пристроїв за великих струмів. Корпус TO-220 дає змогу надійно закріпити компонент на радіаторі для ефективного тепловідведення.
Технічні характеристики
| Параметри | Значення |
|---|---|
| Тип транзизора | MOSFET |
| Канал | N-канальний |
| Максимальна напруга стік-висток (Vds) | 200 В |
| Максимальний струм стоку (Id) | 18 А |
| Максимальна розсіювана потужність | до 200 Вт |
| Напруга затвора-висток (Vgs) | ±20 В |
| Опір відкритого каналу (Rds (on)) | ~0,18 Ом |
| Тип корпусу | TO-220 |
| Робоча температура | −55…+150 °C |
Сфера застосування
-
високовольтні джерела живлення й інвертори
-
силові ключі та комутаційні вузли
-
керування електродвигунами середньої та високої потужності
-
промислова електроніка
-
побутова електроніка та драйвери
Транзистор IRF640N польовий N-канальний, 200V 18A, TO220
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку