•
•
•
•
•
•
Транзистор польовий MOSFET IPD600N25N3GBTMA1
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | PD |
| Країна виробник | Китай |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 1 міс |
| Наявність | в наявності |
| Реплика | Немає |
| Технічний стан | справне |
Бренд: INFIN
Корпус: TO-252
Тип монтажу: SMD
Тип: Польові N-канальні
Uds: 250 V
Ugs max: 20 В
Ic 25: 25 A
Опір: 60 mOhm
Pd 25: 136 W
Температурний діапазон: -55…+175°C
Порогова напруга на затворі: 4V / 90µA | Ємність затвора: 2350 pF / 100 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 10V
Високоякісне Транзистор польовий MOSFET IPD600N25N3GBTMA1. Цей товар повністю відповідає пред'явленим вимогам якості, має тривалий термін служби і високі технічні характеристики. Придбати Транзистор польовий MOSFET IPD600N25N3GBTMA1 і отримати необхідну консультацію про цікавить Вас товарі, Ви можете по телефону у менеджера.
Транзистор польовий MOSFET IPD600N25N3GBTMA1
Готово до відправки
288 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Уточнюйте у продавцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат