•
•
•
•
•
•
Транзистор польовий MOSFET SIHG125N60EF-GE3
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | PD |
| Країна виробник | Китай |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 1 міс |
| Наявність | в наявності |
| Реплика | Немає |
| Технічний стан | справне |
Бренд: Vishay
Корпус: TO-247
Тип монтажу: THT
Тип: Польові N-канальні
Uds: 600 V
Ugs max: 30 В
Ic 25: 25 A
Опір: 125 mOhm
Pd 25: 179 W
Температурний діапазон: -55...+150°C
Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 1533 pF / 100 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 10V
Високоякісне Транзистор польовий MOSFET SIHG125N60EF-GE3. Цей товар повністю відповідає пред'явленим вимогам якості, має тривалий термін служби і високі технічні характеристики. Придбати Транзистор польовий MOSFET SIHG125N60EF-GE3 і отримати необхідну консультацію про цікавить Вас товарі, Ви можете по телефону у менеджера.
Транзистор польовий MOSFET SIHG125N60EF-GE3
Готово до відправки
1 010 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Уточнюйте у продавцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат