•
•
•
•
•
•
Транзистор польовий MOSFET YJD18GP10A
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | PD |
| Країна виробник | Китай |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 1 міс |
| Наявність | в наявності |
| Реплика | Немає |
| Технічний стан | справне |
Бренд: YANGJIE TECHNOLOGY
Корпус: TO-252
Тип монтажу: SMD
Тип: Польові P-канальні
Uds: 100 V
Ugs max: 20 В
Ic 25: 18 A
Опір: 90 mOhm
Pd 25: 72 W
Температурний діапазон: -55...+150°C
Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 4,5V / 10V
Високоякісне Транзистор польовий MOSFET YJD18GP10A. Цей товар повністю відповідає пред'явленим вимогам якості, має тривалий термін служби і високі технічні характеристики. Придбати Транзистор польовий MOSFET YJD18GP10A і отримати необхідну консультацію про цікавить Вас товарі, Ви можете по телефону у менеджера.
Транзистор польовий MOSFET YJD18GP10A
Готово до відправки
86 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Уточнюйте у продавцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат