IGBT-транзистори 40N60NPFD (SGT40N60NPFD) оригінальні, демонтаж. Робочі, перевірені у схемі (як на прикріпленому фото). Ціна за 1 шт.

Найменування: SGT40N60NPFDPN
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: 40N60NPFD
Тип каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється: 290 W
Гранично-допустима напруга колектор-емітер: 600 V
Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 V
Максимальний постійний струм колектора: 80 A @25℃
Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.8 V @25℃
Максимальна гранична напруга затвор-емітер: 6.5 V
Максимальна температура переходу: 150 ℃
Тип корпусу: TO3P