•
•
•
•
•
•
Чип 30F131 GT30F131 TO263-2, Транзистор IGBT
Характеристики та опис
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 30F131 в корпусі ТО-263-2 для використання в плазмових панелях.
- Максимальна напруга колектор-емітер: 300 В
- Максимальний струм колектор-емітер: 200 А
- Напруга насичення при номінальному струмі: 1.9 В
- Потужність: 140 Вт
Чип 30F131 GT30F131 TO263-2, Транзистор IGBT
В наявності
12 ₴
13 ₴
-7%
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
IBAN UA413220010000026002360000527
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
189 ₴
218 ₴
-13%
63 ₴
66 ₴
-4%
280 ₴
328 ₴
-14%
Дивіться також
Новинки в категорії мікросхеми
Улюблені товари покупців
Чат