•
•
•
•
•
•
IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
![IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:](https://images.prom.ua/6942452642_w640_h320_6942452642.jpg)
![IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:](https://images.prom.ua/6942452642_w640_h640_6942452642.jpg)
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 1.3W (Ta) |
| Місткість затвора | 200 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 8.7 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 0.7 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 1.2Ohm @ 420mA 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | HD1 |
IRFD9110PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В: Uзатв (макс): 20 В
IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
Недоступний
100 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат