•
•
•
•
•
•
IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
![IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв](https://images.prom.ua/6942450530_w640_h320_6942450530.jpg)
![IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв](https://images.prom.ua/6942450530_w640_h640_6942450530.jpg)
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | IR |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 2W (Ta) |
| Місткість затвора | 610 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 2.7V 4.5V |
| Заряд затвора | 22 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±12V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 4.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 700mV @ 250µA (Min) |
| Опір каналу у відкритому стані | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Структура | P-Channel |
Основні
| Тип корпусу | SO8 |
IRF7422D2PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв (ном): 2.7 ... 4.5 В: Uзатв ( макс): 12 В: Qзатв: 6 нКл
IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв
Недоступний
110 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат