•
•
•
•
•
•
IRF7389TRPBF Транзистор: N / P-MOSFET, польовий, 30 / -30В, 7,3 / -5,3А
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 2.5W (Ta) |
| Місткість затвора | 650pF @ 25V |
| Заряд затвора | 33 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 7.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 1V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| Структура | N/P-MOSFET |
| Тип корпусу | SO8 |
IRF7389TRPBF Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N / P-MOSFET, польовий, 30 / -30В, 7,3 / -5,3А
IRF7389TRPBF Транзистор: N / P-MOSFET, польовий, 30 / -30В, 7,3 / -5,3А
Недоступний
113 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат