promo_download_app_android_2023
Натисніть знайти для пошуку
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
IRF630NSPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 9.5 А, 300 мОм
IRF630NSPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 9.5 А, 300 мОм
Характеристики та опис

Користувальницькі характеристики

Pd — Розсіювана потужність82W (Tc)
Місткість затвора575 pF @ 25 V
Діапазон номінальних напруг затвора10V
Заряд затвора35 nC @ 10 V
Макс. робоча температура,150
Максимальна напруга затворів-висток±30V
Максимальна напруга стік-висток, В200 V
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А9.5
Мін. робоча температура,-55
МонтажSMD
Порогова напруга на затворі4V @ 250µA
Опір каналу у відкритому стані300mOhm @ 5.4A 10V
СтруктураN-Channel
Тип корпусуTO-263(D2PAK)
IRF630NSPBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 9.5 А, 300 мОм

IRF630NSPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 9.5 А, 300 мОм

Недоступний
Код: 00-00031775
234 
Способи оплати
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Післяплата
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупця
Чат