•
•
•
•
•
•
IRF5210PBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Схожі товариВсі
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 200W (Tc) |
| Місткість затвора | 2700 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 180 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 40 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 60mOhm @ 24A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | TO-220 |
IRF5210PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
IRF5210PBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
Недоступний
123 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат