•
•
•
•
•
•
SUP70060E-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, польовий, 100В, 131А, Idm: 240А
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 200W (Tc) |
| Місткість затвора | 3330 pF @ 50 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 7.5V 10V |
| Заряд затвора | 81 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 131 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 5.8mOhm @ 30A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-220AB |
SUP70060E-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, польовий, 100В, 131А, Idm: 240А
SUP70060E-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, польовий, 100В, 131А, Idm: 240А
В наявності
308 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат