•
•
•
•
•
•
SI2343CDS-T1-GE3-VB P-Channel, 1 Channel. 30 V, 45 mOhms. 7 nC
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Схожі товариВсі
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Заряд затвора | 7 nC |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Максимальна Робоча _x000D_ Температура | + 150 C |
| Мінімальна Робоча _x000D_ Температура | - 55 C |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | - 20 V, + 20 V |
| Напруга пробою _x000D_ стік-висток | 30 V |
| Безперервний струм _x000D_ утечки | 5.9 A |
| Полярність _x000D_ транзизора | P-Channel |
| Порогова напруга _x000D_ Затвор-висток | 2.5 V |
| Розсіювання потужності | 2.5 W |
| Опір _x000D_ стік-висток | 45 mOhms |
SI2343CDS-T1-GE3-VB Транзистор польовий MOSFET
P-Channel, 1 Channel. 30 V, 45 mOhms. 7 nC
SI2343CDS-T1-GE3-VB P-Channel, 1 Channel. 30 V, 45 mOhms. 7 nC
Недоступний
8.75 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії інтегральні мікросхеми
Улюблені товари покупців
Чат