•
•
•
•
•
•
IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
![IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3](https://images.prom.ua/6942405631_w640_h320_6942405631.jpg)
![IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3](https://images.prom.ua/6942405631_w640_h640_6942405631.jpg)
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 1.3W (Ta) |
| Місткість затвора | 250 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4V 5V |
| Заряд затвора | 6.1 nC @ 5 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±10V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 2V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 540mOhm @ 600mA 5V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | HD1 |
IRLD110PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3 Вт
IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3
Недоступний
98.75 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат