•
•
•
•
•
•
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Час увімкнення | 19ns |
| Час вимкнення | 166ns |
| Заряд затвора | 132 nC |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 190 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Напруга затвора — еміттер, В | 30 |
| Напруга колектор-емітер, В | 600 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.7 |
| Тип корпусу | D2PAK |
| Струм колектора, А | 60 |
NCE30TD60BD Транзистор IGBT
IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
В наявності
143 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат