•
•
•
•
•
•
SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв (ном):
![SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв (ном):](https://images.prom.ua/6935109248_w640_h320_6935109248.jpg)
![SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв (ном):](https://images.prom.ua/6935109248_w640_h640_6935109248.jpg)
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 156W (Tc) |
| Місткість затвора | 1600 pF @ 100 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 85 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 800 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 11 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 3.9V @ 680µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 450mOhm @ 7.1A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-220AB |
SPP11N80C3XKSA1 Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Qзатв: 50 нКл
SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв (ном):
В наявності
638 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат