•
•
•
•
•
•
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
Користувальницькі характеристики
| Заряд затвора | 77 nC |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 150 C |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 C |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | - 16 V, + 20 V |
| Напруга пробою _x000D_ стік-висток | 30 V |
| Безперервний струм _x000D_ утечки | 40 A |
| Полярність _x000D_ транзизора | N-Channel |
| Порогова напруга _x000D_ Затвор-висток | 1 V |
| Розсіювання потужності | 52 W |
| Опір _x000D_ стік-висток | 2.05 mOhms |
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання 3.7 W (Ta) / 52 W (Tc)
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання
В наявності
100 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат