•
•
•
•
•
•
SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор: МОП р-канальний: польовий: -20В: -3,1А: 1,6Вт: SOT23
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 860mW (Ta) 1.6W (Tc) |
| Місткість затвора | 405 pF @ 10 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 2.5V 4.5V |
| Заряд затвора | 10 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±8V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 3.1 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 1V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 112mOhm @ 2.8A 4.5V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: МОП р-канальний: польовий: -20В: -3,1А: 1,6Вт: SOT23
SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор: МОП р-канальний: польовий: -20В: -3,1А: 1,6Вт: SOT23
В наявності
8.75 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат