•
•
•
•
•
•
NCE55P30K 55V 30A 40mΩ@10V,15A 65W 4V 1 pie P-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 65W (Tc) |
| Місткість затвора | 240 pF @ 30 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 56 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 55 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 30 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 40mOhm @ 15A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
NCE55P30K Транзистор польовий MOSFET
55V 30A 40mΩ@10V,15A 65W 4V 1 pie P-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
NCE55P30K 55V 30A 40mΩ@10V,15A 65W 4V 1 pie P-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
В наявності
53.75 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат