•
•
•
•
•
•
HYG090ND06LS1C2 60V 56A 60W 12.2mΩ@4.5V,20A 1.9V 2 N-Channel PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | HUAYI |
Користувальницькі характеристики
| Вхідна ємність (Ciss) | 926 пФ |
| Заряд затвора (Qg) | 18.5 нКл за 10 В |
| Кількість _x000D_ транзисторів | 2 N-канальних |
| Корпус | PDFN-8 (5.2×5.9 _x000D_ мм) |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vds) | 60 В |
| Зворотна прохідна _x000D_ місткість (Crss @ Vds) | 39 пФ за 25 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th) @ Id) | 1.9 В |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Id) | 56 А |
| Робоча температура | от -55 °C до _x000D_ +175 °C |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 60 Вт |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 12.2 мΩ при 4.5 В, _x000D_ 20 А |
HYG090ND06LS1C2 Транзистор польовий MOSFET
60V 56A 60W 12.2mΩ@4.5V,20A 1.9V 2 N-Channel PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
HYG090ND06LS1C2 60V 56A 60W 12.2mΩ@4.5V,20A 1.9V 2 N-Channel PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
В наявності
51.25 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат