Тип: N‑канальний MOSFET, призначений для роботи з низькою напругою, оптимізований для режиму перемикання навантаження (Load Switch)

Напруга стік‑витік (V_DS): 30 В

Струм стоку: до 32 А при V_GS = 10 В

Опір у відкритому стані (R_DS(on)): < 4.6 мОм при V_GS = 10 В, < 7.2 мОм при V_GS = 4.5 В

Заряд затвора (Q_g): ≈ 38 нКл при 10 В, ≈ 20 нКл при 4.5 В

Вхідна ємність (C_iss): ≈ 2300 пФ, C_oss ≈ 240 пФ, C_rss ≈ 210 пФ

ESD-захист: HBM клас 2, протестований на UIS і Rg

Розсіювання потужності: до 28 Вт при температурі корпусу 25 °C

Температурний діапазон: від –55 до +150 °C

Корпус: DFN 3×3 мм (8-виводний з тепловою контактною підкладкою)