•
•
•
•
•
•
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Характеристики та опис
Біполярний транзистор з ізольованим закривом 30F131 у корпусі TO-263-2 для використання в плазмових панелях.
- Максимальна напруга колектор-емітер: 300 В
- Максимальний струм колектор-емітер: 200 А
- Напруга насичення за номінального струму: 1.9 В
- Потужність: 140 Вт
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Готово до відправки
34 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта
IBAN UA453220010000026000350073834
Способи доставки
Нова Пошта — Безкоштовно за умови
Умови повернення
Уточнюйте у продавцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії мікросхеми
Улюблені товари покупців
Чат