КР159НТ1Б DIP8 матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів) Мікросхеми являють собою матрицю з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів). Корпус типу 301.8-2, маса не більш ніж 1,3 г і типу 201.14-1, маса не більш ніж 1,0 гр. Найменування КР159НТ1Б DIP8 Мікросхема Функціональний тип транзисторна матриця Типорозмір корпусу вітчизняний 2101.8-1 Типорозмір корпусу DIP8 Торгова марка ГАО ТОНДІ-ЕЛЕКТРОНИКА (Таллін) Країна походження СРСР Тип приймання "1" Матеріал корпусу пластмаса Наявність паспорта — етикетки є Тип паковання пластиковий бокс Стан паковання заводська Кратність відвантаження 1 Цвет изделия чорний Габаритні розміри L*W*H 9х9х6 Довжина корпусу 9 mm Ширина корпусу 6 mm Висота корпусу 3 mm Кількість виводів або контактів 8 Довжина виводів 7 mm Маса виробу, г. 0,48 Транслітерація Microcircuit KR159NT1B Інтервал робочих температур від +85 до -60 °C Макс. допустима напруга еммітер-база 4 V Макс. допустима напруга колектор-база 20 V Макс. допустимий імпульсний струм колектора 40 mA Макс. допустимий постійний струм колектора 10 mA Максимальна потужність розсіювання 50 mW Примітка Дата випуску не вказана Мікросхема КР159НТ1Б — являє собою складку з двох біполярних п-р-п транзисторів, виготовлена за планарною технологією із ізоляцією елементів діелектриком. Призначена для використання як базова схема диференціального підсилювача та інших балансних схем у різних пристроях радіоелектроночної апаратури. Корпус типу 2101.8-1