•
•
•
•
•
•
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Товар недоступний - перегляньте схожі товари
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 283 Вт |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Користувальницькі характеристики
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 500V 20A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Характеристики:
Характеристики:
|
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Недоступний
187 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
IBAN UA953052990000026008036705932
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюДивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат