Потужний польовий транзистор з ізольованим затвором (MOSFET) N-канального типу, розроблений для застосування у високовольтних схемах із високою швидкістю перемикання. Модель вирізняється низьким опором у відкритому стані та високою термічною стабільністю.

Технічні характеристики:

Тип транзистора: MOSFET.
Полярність: N-канал.
Максимальна напруга сток-витік (Vds): 200 В.
Максимальна напруга затвор-витік (Vgs): ±20 В.
Безперервний струм стоку (Id): 18 А (при $T_c = 25$°C).
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 150 Вт.
Опір сток-витік у відкритому стані (RDSon): 0.15 Ом.
Порогова напруга затвора (VGSth): 2.0–4.0 В.
Загальний заряд затвора (Qg): 67 нКл.
Час наростання (tr): 19 нс.
Вихідна ємність (Coss): 185 пФ.
Максимальна температура переходу (Tj): 175 °C.
Тип корпусу: TO-220AB.

Ключові переваги:

Висока ефективність: Низький опір каналу мінімізує втрати енергії на тепловиділення під час проходження струму.
Динамічні характеристики: Малий час перемикання дозволяє використовувати транзистор у високочастотних схемах.
Надійність: Корпус TO-220 забезпечує зручне кріплення на радіатор для ефективного відведення тепла.

Сфери застосування:

Імпульсні джерела живлення (SMPS).
Драйвери керування двигунами постійного струму.
DC-DC перетворювачі напруги.
Силові ключі в системах автоматики та освітлення.

Рекомендації з монтажу:

При експлуатації в режимах, близьких до номінальних значень струму (18 А), використання радіатора є обов'язковим для запобігання перегріву та виходу компонента з ладу.