| Производитель: |
NXP Semiconductor |
|
| Категория продукта: |
Биполярные транзисторы ― BJT |
|
| RoHS: |
Нет |
|
| Торговая марка: |
ON Semiconductor |
|
| Конфигурация: |
Single |
|
| Полярность транзистора: |
NPN |
|
| Напряжение коллектор-база (VCBO): |
250 V |
|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: |
250 V |
|
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): |
5 V |
|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: |
0.5 V |
|
| Максимальный постоянный ток коллектора: |
0.5 A |
|
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): |
60 MHz |
|
| Максимальная рабочая температура: |
+ 150 C |
|
| Вид монтажа: |
Through Hole |
|
| Упаковка / блок: |
TO-92-3 (TO-226) |
|
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): |
50 |
|
| Минимальная рабочая температура: |
- 55 C |
|
| Упаковка: |
Bulk |
|
| Pd ― рассеивание мощности: |
830 mW |
|
| Размер фабричной упаковки: |
5000 |