1.Транзистор IPW60R045CP ----4шт склад 22.06.2023р
2.Транзистор IRFPS37N50A, склад 2023р.
Структура N-канал
Максимальна напруга стік-висток Uсі, В 500
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C Iсі макс. А 36
Максимальна напруга затвор-висток Uзи макс., В ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсі вмик., мОм 130
Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт 440
Крутизна характеристики S, АВ 20000
Порогова напруга на затворі 4
Корпус Super247
I 2IM1671, 1A, B, C B2 VE (SAT) FIG.
1 Unijunction Transistor Symbol with N omenclature used for voltage and curren ts.
FIG.
2 Static Emitter Characterist ic curves showing important parameters and measurement points (exaggerated to show details).
MICRO *MPfftE5 FIG.
3 Static Emitter Characteristics at Peak P oint.
h__.
14 sYbb" sov R VVgg -20V" V JB" ,0V 1 TA «-55° C Hz'° 10 12 14 16 18 —EMITTER CURRENT— IE MILU AMPERES 20 FIG.
4 ii TA =25'C 1 TA *I25° C >u < §8 BB'30 s * db|° " i B2 =o 24 e 41 2 S 1 a 2C EMITTER C URRENT-I-.
- MILUAMPERES > 'in 5 \ s BB 30V i JB8-»V^ V- —XB2 o .