Основні

Максимально допустима напруга колектор-емітер	15 В
Максимально допустимий струм колектора	0.60 А
Матеріал корпусу	Пластик
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Тип монтажу	Ручний монтаж
Тип транзистора	Біполярний
Виробник	MPS

Користувальницькі характеристики

Країна походження

СРСР

КТ209В
Транзистори КТ209В кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц.
Призначені для застосування в підсилювальних і імпульсних микромодулях і блоках герметизованою апаратури загального призначення.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Транзистори мають два варіанти маркування:
Варіант 1 - корпус наноситься буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Р, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - І, КТ209К - ДО, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Варіант 2 - на бічну поверхню корпусу наноситься мітка сірого кольору і на торці мітка: КТ209А - темно-червона, КТ209Б - жовта, КТ209В - темно-зелена, КТ209Г - блакитна, КТ209Д - синя, КТ209Е - біла, КТ209Ж - коричнева, КТ209И - срібляста, КТ209К - помаранчева, КТ209Л - світло-тютюнова, КТ209М - сіра.
Маса транзистора не більше 0,3 р.
Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Кліматичне виконання: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категорія якості: «ВТК».
Технічні умови:
- приймання «1» аА0.336.065 ТУ/02.
Мінімальний термін зберігання не менше 12 років з дня виготовлення.
Імпортний : MPS404, 2SA642.

Технічні характеристики транзисторів КТ209:

Тип транзистора	Структура	Граничні значення параметрів при Тп=25°С						Значення параметрів при Тп=25°С
		ІК. макс.	ІК. в. макс.	UКБО макс.	UКЭR макс.	UЭБО макс.	РК. макс.	һ21Э	UКБ	ІЕ	UКЭ нас.	ІКБО	fгp.
		мА	мА	В	В	В	мВт		В	мА	В	мкА	МГц
КТ209А	p-n-p	300	500	15	15	10	200	20...60	1	30	0,4	-	5
КТ209Б	p-n-p	300	500	15	15	10	200	40...120	1	30	0,4	-	5
КТ209В	p-n-p	300	500	15	15	10	200	80...240	1	30	0,4	-	5
КТ209Г	p-n-p	300	500	30	30	10	200	20...60	1	30	0,4	-	5
КТ209Д	p-n-p	300	500	30	30	10	200	40...120	1	30	0,4	-	5
КТ209Е	p-n-p	300	500	30	30	10	200	80...240	1	30	0,4	-	5
КТ209Ж	p-n-p	300	500	45	45	20	200	20...60	1	30	0,4	-	5
КТ209И	p-n-p	300	500	45	45	20	200	40...120	1	30	0,4	-	5
КТ209К	p-n-p	300	500	45	45	20	200	80...160	1	30	0,4	-	5
КТ209Л	p-n-p	300	500	60	60	20	200	20...60	1	30	0,4	-	5
КТ209М	p-n-p	300	500	60	60	20	200	40...120	1	30	0,4	-	5

Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• Ік. макс - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• Ік. в. макс - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутому ланцюзі емітера.
• UкэR. макс - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база - емітер транзистора.
• Uкэомакс - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера.
• Uэбомакс - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• Рк. макс - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• Рк. в. макс - максимально допустима імпульсна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• һ21Э - коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в режимі малого сигналу в схемі з загальним емітером.
• Uкб - напруга колектор-база транзистора.
• Uкэ - напруга колектор-емітер транзистора.
• Іе - струм емітера транзистора.
• Ік - постійний струм колектора транзистора.
• Uкэ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• Ікбо - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• IкэR - зворотний струм колектор-емітер при заданому опорі в ланцюзі база-емітер. Струм в колі колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і заданому опорі в ланцюзі база-емітер.
• fгр- гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• fh21 - гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора.