Максимально допустима напруга колектор-база	30 В
Матеріал корпусу	Металоскло
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Тип монтажу	Ручний монтаж
Тип транзистора	Біполярний

Користувальницькі характеристики

виготовлення	Дискретне
Країна походження	СРСР

2Т117В транзистор N-база (һ21э:0.5-0.7) 30В Au (ТО18)

2Т117В
Транзистори 2Т117В кремнієві епітаксиально-планарні одноперехідні з базою n-типу.
Призначені для застосування в малопотужних генераторах електронної апаратури спеціального призначення.
Випускаються в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками.
Маркування нанесене цифро-буквеним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора не більше 0,6 р.
Тип корпусу: КТ-1-7 (TO-18).
Кліматичне виконання: «УХЛ».
Категорія якості: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технічні умови:
- приймання «ВП» ТТ3.365.000 ТУ;
- приймання «ОСМ» ТТ3.365.000 ТУ, П0.070.052,
- приймання «ОС» ТТ3.365.000 ТУ, аА0.339.190 ТУ.

Гарантійний термін зберігання транзисторів - 25 років з дати приймання, а у випадку повторної перевірки вироби - з дати перевірки.
Гарантійна напрацювання:
- 80000 годин - у всіх режимах, що допускаються ТУ;
- 100000 годин - в полегшеному режимі.
Гарантійна напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзистора 2Т117В:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max - Постійна розсіює потужність колектора: 300 мВт;
• fmax - Максимальна частота генерації: 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутому ланцюзі емітера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 30 В;
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схеми з спільним емітером: 0,5... 0,7

Технічні характеристики транзисторів 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г:

Тип транзистора	Структура	Граничні значення параметрів при Тп=25°С						Значення параметрів при Тп=25°С								ТП max	Т max
		ІЕ max	ІЕ. В. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	һ21Э	UКЭ нас.	ІКБО	ІЭБО	f гр.	КШ	СК	СЕ	ТП max	Т max
		мА	А	В	В	В	мВт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°З	°З
2Т117А	n-база	50	1	-	30	30	300	0,5...0,7	-	-	1	>0,2	-	-	-	130	-60...+125
2Т117Б	n-база	50	1	-	30	30	300	0,65...0,8	-	-	1	>0,2	-	-	-	130	-60...+125
2Т117В	n-база	50	1	-	30	30	300	0,5...0,7	-	-	1	>0,2	-	-	-	130	-60...+125
2Т117Г	n-база	50	1	-	30	30	300	0,65...0,8	-	-	1	>0,2	-	-	-	130	-60...+125

Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• ІК max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• ІК. В. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЭ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзистора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.