Основні

Максимально допустима напруга колектор-емітер	15 В
Максимально допустимий струм колектора	0.50 А
Матеріал корпусу	Металоскло
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Тип монтажу	Ручний монтаж

КТ501М транзистор PNP (0,5А 60В) (h21э: 40-120) 0,35W Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

КТ501М
Транзисторы КТ501М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: аА0.336.064 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ501М:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом

Характеристики транзисторов КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	мкА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ501А	p-n-p	0,3	0,5	15	15	10	0,35	20…60	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501Б	p-n-p	0,3	0,5	15	15	10	0,35	40…120	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501В	p-n-p	0,3	0,5	15	15	10	0,35	80…240	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501Г	p-n-p	0,3	0,5	30	30	10	0,35	20…60	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501Д	p-n-p	0,3	0,5	30	30	10	0,35	40…120	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501Е	p-n-p	0,3	0,5	30	30	10	0,35	80…240	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501Ж	p-n-p	0,3	0,5	45	45	20	0,35	20…60	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501И	p-n-p	0,3	0,5	45	45	20	0,35	40…120	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501К	p-n-p	0,3	0,5	45	45	20	0,35	80…240	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501Л	p-n-p	0,3	0,5	60	60	20	0,35	20…60	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125
КТ501М	p-n-p	0,3	0,5	60	60	20	0,35	40…120	<0,4	-	<1	<1	>5	<50	<100	150	-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.