Основні

Максимальна потужність розсіювання	30 Вт
Максимально допустима напруга колектор-емітер	60 В
Максимально допустимий струм колектора	7.50 А
Матеріал корпусу	Пластик
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Тип монтажу	Ручний монтаж
Тип транзистора	Біполярний

Користувальницькі характеристики

Виробник	ЗАТ Кремній Маркетинг м. Брянськ
виготовлення	Дискретне
Технічний опис	завантажити PDF в специфікації

КТ837С PNP транзистор (7,5 А 60В) 30W (ТО220)

КТ837С
Транзистори КТ837С кремнієві епітаксиально-дифузійні структури p-n-p перемикальні.
Призначені для застосування в підсилювачах і перемикаючих пристроїв.
Корпус пластмасовий з жорсткими висновками.
Маса транзистора не більше 2,5 р.
Тип корпусу: КТ-28 (ТО-220).
Технічні умови: аА0.336.403 ТУ.

Основні технічні характеристики транзистора КТ837С:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постійна розсіює потужність колектора з тепловідводом: 30 Вт;
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: не менше 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутому ланцюзі емітера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 0,15 мА;
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: 50... 150;
• Rкэ нас - Опір насичення між колектором і емітером: не більше 0,3 Ом

Характеристики транзисторів КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Тип транзистора	Структура	Граничні значення параметрів при Тп=25°С						Значення параметрів при Тп=25°С								ТП max	Т max
		ІК max	ІК. В. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	һ21Э	UКЭ нас.	ІКБО	ІЭБО	IКЭR	f гр.	СК	СЕ	ТП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°З	°З
КТ837А	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	10...40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Б	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	20...80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837В	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	50...150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Г	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	10...40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Д	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	20...80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Е	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	50...150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Ж	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	10...40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837И	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	20...80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837К	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	50...150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Л	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	10...40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837М	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	20...80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Н	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	50...150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837П	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	10...40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Р	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	20...80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837С	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	50...150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Т	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	10...40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837У	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	20...80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Ф	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	50...150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100
КТ837Х	p-n-p	7,5	-	180	180	5	1 (30)	>15	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60...+100

Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• ІК max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• ІК. В. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЭ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора з тепловідводом.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• IКЭR - зворотний струм колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.