•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT RJP30E2 (ТІ0076)
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Найменування: RJP30E2DPP-M0
Тип транзистора: IGBT
Тип керуючого каналу: N-Channel
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 360
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 35
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.7
Час наростання типовий (tr), nS: 150
Тип корпусу: TO220FL
Транзистор IGBT RJP30E2 (ТІ0076)
Готово до відправки
150 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Магазини Rozetka, Нова Пошта, Самовивіз
IBAN UA213052990000026009046113126
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат