Найменування приладу: SI4425DY-T1-E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: P

Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 2.5 W

Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 30 V

Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V

Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 3 V

Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 8.7 A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Загальний заряд затвора (Qg): 43 nC

Час зростання (tr): 13 ns

Вихідна ємність (Cd): 380 pf

Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm

Тип корпусу: SO8