Найменування приладу: IRF510PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 43 W

Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 100 V

Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V

Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V

Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 5.6 A

Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C

Час зростання (tr): 16 ns

Вихідна ємність (Cd): 81 pf

Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.54 Ohm

Тип корпусу: TO220AB